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[[メンバー]]

''中村　洋平'', Yohei nakamura

//#contents

//*自己紹介 [#b9fbaaa5]

//**国籍 [#v255c6e0]
//-日本国

**生年月日 [#v86f8067]
-1990年(平成2年)6月9日


**所属 [#ja128c82]
//-[[京都大学:http://www.kyoto-u.ac.jp/ja]] [[工学部:http://www.t.kyoto-u.ac.jp/ja/undergrad/]] [[電気電子工学科:http://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja]]

- 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士２回生

--[[先端電気システム論講座(引原研究室):http://www-lab23.kuee.kyoto-u.ac.jp/indexJ.html]]

**略歴 [#fb838191]
-2009年(平成21年)3月 福井県立高志高等学校 卒業
-2010年(平成22年)4月 京都大学　工学部　電気電子工学科 入学
-2014年(平成25年)3月 同卒業
-2014年(平成25年)4月 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士課程 入学

**連絡先 [#b37239bb]

-Mail Address : y-nakamura +"@"+ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp

//*研究関連 
**国内発表 [#c12f79b1]
+''中村洋平'', 引原隆士, 高調歪みの動的解析に基づくMOSFETのチャネル移動度特性の同定, 第58回システム制御情報学会研究発表講演会, GS システム同定 253-4, 京都テルサ, 2014年5月21日.
+''中村洋平'', 引原隆士, SiCパワーMOSFETへの表面ポテンシャルモデル適用に関する一検討, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, 回路とシステム A-1-13, 徳島大学, 2014年9月26日.
+''中村洋平'', 引原隆士, 表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析に関する一検討, 電気学会全国大会, 電力用半導体デバイスとその応用(SiC) 4-005, 東京都市大学 世田谷キャンパス, 2015年3月25日.

**学位論文 [#a5975e53]
-学士論文, 中村 洋平, 高調波歪みの動的解析に基づくMOSFETのキャリア応答遅延に関する検討 (2014).


**所属学会 [#s8ddc939]
　　電気学会
*研究室内およびその他活動 [#y676bc1a]
**輪講 [#l2922d52]
-2013年度
--山本裕, システムと制御の数学 (朝倉書店, 1998)

-2014年度
--磯祐介, 複素関数論入門 (サイエンス社, 2013)

**教育活動 [#nd1188b0]
+パワーエレクトロニクス TA (2014年度前期)
+電気電子工学実習B レギュレータの基礎 TA (2014年度後期)

**係 [#u60f1794]
-ショップ
//**アウトリーチ 


//*備考 [#ob80e423]


**趣味 [#y9006269]
-ジャグリング (京都大道芸倶楽部 Juggling Donuts 所属)
中村洋平 の変更点

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