奥田　貴史, Takafumi Okuda

博士（工学）

（2016年4月10日 内容更新）

略歴 †

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所属学会 †

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研究関連 †

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学術論文 †

  1. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Current Transport Characteristics of Quasi-AlxGa1-xN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with Various Band Discontinuities", Japanese Journal of Applied Physic. 51, 04DP09 (2012).
  2. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Persistent Photoconductivity in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", Materials Science Forum 740-742, 413 (2013).
  3. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Long Photoconductivity Decay Characteristics in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", Japanese Journal of Applied Physics 52, 010202 (2013).
  4. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Improvement of Carrier Lifetime in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation", Applied Physics Express 6, 121301 (2013). 応用物理学会 論文奨励賞受賞.
  5. T. Okuda, T. Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto, and J. Suda, "Enhancement of Carrier Lifetime in Lightly Al-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing", Applied Physics Express 7, 085501 (2014).
  6. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Oxidation-Induced Majority and Minority Carrier Traps in n- and p-Type 4H-SiC", Applied Physics Express 8, 111301 (2015).
  7. T. Okuda, T. Kobayashi, T. Kimoto, and J. Suda, "Surface Passivation on 4H-SiC Epitaxial Layers by SiO2 with POCl3 Annealing", Applied Physics Express 9, 051301 (2016).
  8. H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda, "21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension", IEEE Electron Device Letters 33, 1598 (2012).
  9. T. Hayashi, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Decay Curve Analyses in Carrier Lifetime Measurements of p- and n-Type 4H-SiC Epilayers", Japanese Journal of Applied Physics 53, 111301 (2014).
  10. S. Nakazawa, T. Okuda, T. Nakamura, and T. Kimoto, "Interface Properties of 4H-SiC (11-20) and (1-100) MOS Structures Annealed in NO", IEEE Transactions on Electron Devices 62, 309 (2015).
  11. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors", Japanese Journal of Applied Physics 54, 04DP13 (2015).
  12. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Hall Scattering Factors in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations", Applied Physics Express 9, 041301 (2016).
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学位論文 †

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国際会議（査読有） †

  1. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Current Transport Characteristics of Quasi-AlxGa1-xN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with Various Band Discontinuities", International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, P-14-19, Sep. 28-30, (2011), poster.
  2. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Persistent Photoconductivity in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, St. Petersburg, Russia, Tu5-5, Sep. 2-6 (2012), oral.
  3. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Electrical Characteristics of 21-kV SiC BJTs with Space-Modulated Junction Termination Extension", International Conference on Solid State Devices and Materials, Hukuoka, Japan, J-5-2, Sep. 26 (Sep. 24-27, 2013), oral.
  4. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Carrier Lifetime Improvement in Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Mo-1B, Sep. 30 (Sep. 30-Oct. 4, 2013), oral.
  5. T. Okuda, T. Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto, and J. Suda, "Improvement of Carrier Lifetimes in Lightly-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Passivation", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, MO-P-36, Sep. 21-25 (2014), poster.
  6. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Enhancement of Carrier Lifetimes in p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers" (Invited), International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, We-1A-1, Oct. 7 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  7. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Oxidation-Induced Majority and Minority Carrier Traps in n- and p-Type 4H-SiC", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, We-P-25, Oct. 7 (Oct. 4-9) (2015), poster.
  8. T. Okuda, T. Kobayashi, T. Kimoto, and J. Suda, "Surface Passivation on p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Deposited SiO2 with POCl3 Annealing", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Th-P-14, Oct. 8 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  9. T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, and Y. Nishi, "Defect Electronics in SiC and Fabrication of Ultrahigh-Voltage Bipolar Devices" (Plenary), Electrochem. Soc. Fall Meeting 2012, Honolulu, United States of America, 2012. (ECS Transactions, Vol.50 (2012), pp.25-35.)
  10. J. Suda, T. Okuda, H. Uchida, A. Minami, N. Hatta, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, Y. Kurashima, and H. Takagi, "Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown on 100-mm-Diameter 4H-SiC/Poly-SiC Bonded Substrates", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Th-P-62, Sep. (2013), poster.
  11. T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda, "Junction Technology in SiC for High-Voltage Power Devices" (Plenary), Kyoto, Japan, Ext. Abstr. of IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology, pp.54-57 (2013).
  12. T. Kimoto, H. Miyake, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda, "Progress and Future Challenges of High-Voltage SiC Power Devices" (invited), Boston, United States of America, 2013 Materials Research Society Fall Meeting, T.8.1 (2013).
  13. T. Kimoto, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda, "Progress and Future Challenges in SiC Material for High-Voltage Power Devices", (invited) American Vaccum Soc. 61st Int. Symp. (Baltimore, 2014), EM1-WeM3.
  14. N. Hatta, A. Minami, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, H. Uchida, T. Okuda, J. Suda, Y. Kurashima, and H. Takagi, "Low-Resistance 4H-SiC/Poly-SiC Bonded Interfaces Fabricated by a Surface-Activated-Bonding Method", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, MO-P-50, Sep. 21-25 (2014), poster.
  15. S. Nakazawa, T. Okuda, T. Kobayashi, J. Suda, T. Nakamura, and T. Kimoto, "Interface Properties and Mobility-Limiting Factors in 4H-SiC(0001), (11-20), and (1-100) MOS Structures", (invited) European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, TU3-IS-01, Sep. 21-25 (2014), oral.
  16. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors", International Conference on Solid State Devices and Materials, hokkaido, Japan, E-4-3, Sep. 9-11, (2014), oral.
  17. J. Suda, T. Okuda, N. Hatta, A. Minami, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, H. Uchida, Y. Kurashima, and H. Takagi, "4H-SiC/Poly-SiC Engineered Substrates Fabricated by a Suface-Activated-Bonding Method", 57th Electronic Materials Conference, Columbun, United States of America, U1, Jun. 24-26, (2015), oral.
  18. J. Suda, T. Okuda, and T. Kimoto, "Hydrogen Passivation of Unknown Lifetime-Killing Defects in Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers", 57th Electronic Materials Conference, Columbus, United States of America, BB6, Jun. 24-26, (2015), oral.
  19. T. Kobayashi, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Accurate Evaluation of Interface State Densities of 4H-SiC(0001) MOS Structures Annealed in POCl3 by C-Ψs Method", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, MO-2A-2, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  20. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Hall Scattering Factor in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Tu-1A-2, Oct. 6 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  21. K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda, "ESR Study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in p-Type and Semi-Insulating 4H-SiC", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Mo-P-7, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), poster.
  22. K. Yamada, H. Niwa, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Promise and Limitation of Ultrahigh-Voltage SiC PiN Diodes with Long Carrier Lifetimes Studied by Device Simulation", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Th-3A-5, Oct. 8 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  23. T. Kobayashi, S. Nakazawa, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Cause for the Mobility Drop in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Mo-P-58, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), poster.
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国内発表 †

  1. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 第30回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ琵琶湖、Th2-19（2011年6月29日〜7月1日）.
  2. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「AlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 秋季第72回応用物理学会学術講演会、 山形大学、31a-ZB-11（2011年8月29日〜9月2日）.
  3. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、京都大学、ED2011-81（2011年11月17日〜18日）、論文発表奨励賞受賞.
  4. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」、 春季第59回応用物理学関係連合講演会、 早稲田大学、17p-A8-15（2012年3月14日〜18日）、講演奨励賞受賞.
  5. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC p型バルク結晶におけるPersistent Photoconductivity」、 第31回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ伊豆、Th1-15（2012年7月11日〜13日）.
  6. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC p型バルク結晶およびp型エピ成長層の光伝導減衰特性の比較(講演奨励賞受賞記念講演)」、 秋季第73回応用物理学会学術講演会、 愛媛大学、12p-H7-7（2012年9月11日〜14日）.
  7. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現」、 春季第60回応用物理学関係連合講演会、 神奈川工科大学、28p-G22-8（2013年3月27日〜30日）.
  8. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現」、 第32回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ滋賀、2013年7月11日（10〜12日）、 EMS賞受賞.
  9. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造を有する21 kV SiC BJTの電気的特性」、 応用物理学会関西支部第2回講演会、 奈良先端大学院大学、P-3、2013年10月9日.
  10. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「p型4H-SiCエピタキシャル層における水素パッシベーションによるキャリア寿命の向上」、 SiC及び関連半導体研究第22回講演会、 埼玉会館、B-15、2013年12月9日（9、10日）.
  11. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「SiCパワーデバイスの高性能化にむけた点欠陥低減技術」（依頼講演）、 生研材料学セミナー、 東京大学、2013年12月24日.
  12. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「水素熱処理によるp型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ伊豆、We2-2、2014年7月9日（9〜11日）.
  13. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation (論文奨励賞受賞記念講演)」、秋季第75回応用物理学会学術講演会、 北海道大学、18a-A17-1、2014年9月17日（16〜19日）.
  14. 奥田貴史、宮澤哲哉、土田秀一、木本恒暢、須田淳、「熱酸化および水素熱処理による低濃度p型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、先進パワー半導体分科会 第1回講演会、ウィンク愛知、P-10、2014年11月19日（19、20日）.
  15. 奥田貴史、宮澤哲哉、土田秀一、木本恒暢、須田淳、「p型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ滋賀、Th3-26、2015年7月16日（15〜17日）.
  16. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「p型SiCエピタキシャル層におけるバルクキャリア寿命向上および表面再結合低減」、第4回結晶工学未来塾、東京農工大学、P-29、2015年10月29日.
  17. 高橋亮、梶山拓也、奥田貴史、引原隆士、「電力パケットによる電力伝送に適したパルス波形の検討(I): 実験」、平成24年電子情報通信学会総合大会、岡山大学、26p-A-1-26、2012年3月20〜23日.
  18. 高橋亮、梶山拓也、奥田貴史、引原隆士「電力パケットによる電力伝送に適したパルス波形の検討(II): 数値シミュレーション」、平成24年電子情報通信学会総合大会、岡山大学、26p-A-1-27、2012年3月20〜23日.
  19. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性」、 春季第61回応用物理学関係連合講演会、 青山学院大学、18p-E5-1、2013年3月28日（27日〜30日）.
  20. 中澤成哉、奥田貴史、中村孝、木本恒暢、「コンダクタンス法を用いたSiC(11-20)および(1-100) MOS界面準位の評価」、 春季第61回応用物理学関係連合講演会、 青山学院大学、18p-E5-8、2013年3月28日（27日〜30日）.
  21. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC BJTにおけるベース直列抵抗がオン特性に与える影響」、第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ伊豆、2014年7月9日（9〜11日）.
  22. 棚井創基、村上功樹、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、大島武、梅田享英、「4H-SiCの結晶欠陥と水素の反応に関する研究」、春季第62回応用物理関係連合講演会、東海大学、12a-B4-9、2015年3月12日（11〜14日）.
  23. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール効果の温度依存性」、春季第62回応用物理関係連合講演会、東海大学、12a-B4-8、2015年3月12日（11〜14日）.
  24. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール散乱因子の温度依存性」、第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ滋賀、Th3-9、2015年7月16日（15〜17日）.
  25. 小林拓真、中澤成哉、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」、先進パワー半導体分科会第2回講演会、大阪国際交流センター、P-65、2015年11月9日（9, 10日）
  26. 梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、岡本光央、原田信介、「エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価」、春季第63回応用物理関係連合講演会、東京工業大学、20p-H101-8、2016年3月20日（19〜22日）.
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受賞歴 †

  1. 2011年11月25日 電子情報通信学会電子デバイス研究会 論文発表奨励賞
  2. 2012年9月11日 秋季第59回応用物理学会関係連合講演会 講演奨励賞
  3. 2013年7月12日 第32回電子材料シンポジウム EMS賞
  4. 2014年3月11日 平成25年度グローバルCOE博士助成成果報告 英語コンテスト優秀賞
  5. 2014年9月16日 応用物理学会 論文奨励賞
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特許 †

「半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置」須田淳、奥田貴史、木本恒暢、特開2015-018859 (2015.1.29) [特願2013-143504 (2013.7.9)]

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教育活動 †

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学内 †

  1. 電気電子工学科エレクトロニクスサマーキャンプ TA (2010年--現在)

最終更新日 2023-12-19 (火) 13:47:00

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