[[メンバー]] ''中村 洋平'', Yohei nakamura //#contents //*自己紹介 [#b9fbaaa5] //**国籍 [#v255c6e0] //-日本国 **生年月日 [#v86f8067] -1990年(平成2年)6月9日 **所属 [#ja128c82] //-[[京都大学:http://www.kyoto-u.ac.jp/ja]] [[工学部:http://www.t.kyoto-u.ac.jp/ja/undergrad/]] [[電気電子工学科:http://www.s-ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja]] - 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士2回生 --[[先端電気システム論講座(引原研究室):http://www-lab23.kuee.kyoto-u.ac.jp/indexJ.html]] **略歴 [#fb838191] -2009年(平成21年)3月 福井県立高志高等学校 卒業 -2010年(平成22年)4月 京都大学 工学部 電気電子工学科 入学 -2014年(平成25年)3月 同卒業 -2014年(平成25年)4月 京都大学大学院 工学研究科 電気工学専攻 修士課程 入学 **連絡先 [#b37239bb] -Mail Address : y-nakamura +"@"+ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp //*研究関連 **国内発表 [#c12f79b1] +''中村洋平'', 引原隆士, 高調歪みの動的解析に基づくMOSFETのチャネル移動度特性の同定, 第58回システム制御情報学会研究発表講演会, GS システム同定 253-4, 京都テルサ, 2014年5月21日. +''中村洋平'', 引原隆士, SiCパワーMOSFETへの表面ポテンシャルモデル適用に関する一検討, 電子情報通信学会 ソサイエティ大会, 回路とシステム A-1-13, 徳島大学, 2014年9月26日. +''中村洋平'', 引原隆士, 表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析に関する一検討, 電気学会全国大会, 電力用半導体デバイスとその応用(SiC) 4-005, 東京都市大学 世田谷キャンパス, 2015年3月25日. **学位論文 [#a5975e53] -学士論文, 中村 洋平, 高調波歪みの動的解析に基づくMOSFETのキャリア応答遅延に関する検討 (2014). **所属学会 [#s8ddc939] 電気学会 *研究室内およびその他活動 [#y676bc1a] **輪講 [#l2922d52] -2013年度 --山本裕, システムと制御の数学 (朝倉書店, 1998) -2014年度 --磯祐介, 複素関数論入門 (サイエンス社, 2013) **教育活動 [#nd1188b0] +パワーエレクトロニクス TA (2014年度前期) +電気電子工学実習B レギュレータの基礎 TA (2014年度後期) **係 [#u60f1794] -ショップ //**アウトリーチ //*備考 [#ob80e423] **趣味 [#y9006269] -ジャグリング (京都大道芸倶楽部 Juggling Donuts 所属)