高山　創のバックアップソース(No.9)

#author("2021-04-01T10:53:38+09:00","default:editor","editor")
[[メンバー]]

高山 創, Hajime Takayama

-京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 博士後期過程 1回生
--先端電気システム論講座 (引原研究室)

-日本学術振興会 特別研究員 (DC1)

-Mail Address : h-takayama ＋”＠”＋ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp

**略歴 [#i7a0d057]
-2015年 (平成27年) 3月 三重県立津高等学校 卒業 
-2015年 (平成27年) 4月 京都大学工学部電気電子工学科 入学
-2019年 (平成31年) 3月 同 卒業
-2019年 (平成31年) 4月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 修士課程 入学
-2021年 (令和3年) 3月 同 卒業
-2021年 (令和3年) 4月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 博士後期過程 入学

**所属学会 [#s2e29541]
-電子情報通信学会 (IEICE)
-Institute of Electrical and Electronic Engineering (IEEE)

**国際会議発表（査読あり) [#d6db1423]
+ ○''Hajime Takayama'', Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study on Suppressing Surge Voltage of SiC MOSFET Using Digital Active Gate Driver", 
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia 2020 (WiPDA-Asia), Lecture_F1-3, Kyoto, Japan (online), 23-25 September, 2020.

**国内学会発表 [#z78c4cc0]
+ ○''高山創'', 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの駆動に関する基礎実験", 
令和元年電気関係学会関西連合大会, G4-15, 大阪市立大学 杉本キャンパス, 2019年12月1日.
+ ○''高山創'', 奥田貴史, 引原隆士, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討", 
2019年電子情報通信学会 総合大会, 回路とシステム A-1-5, 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2019年3月19日.

**国内研究会発表 [#ud6575e6]
+ ○''高山創'', 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライブにおけるSiC MOSFETのゲート駆動波形に関する一検討", 
電気学会半導体電力変換研究会, SPC-20-003, 立命館大学 大阪いばらきキャンパス, 2020年1月24日.

**受賞歴 [#s215dfd8]
+令和元年度 吉田卒業研究・論文賞

**学位論文 [#ya634133]
-学士論文, 高山 創, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバの設計に関する研究" (2019).

*教育活動 [#l8dfbd60]
**学内ティーチングアシスタント (TA) [#pbf1ad79]
+電気電子工学実習 (パワーエレクトロニクス) (2019年度後期)
+パワーエレクトロニクス (2019年度前期)


*研究室内およびその他活動 [#x0913db8]

**輪講 [#c780ec8c]
-2019年度
--甘利俊一, 長岡浩司, 情報幾何の方法 (岩波書店, 2017)
-2018年度
--Stephen Wiggins (丹羽 敏雄, 田中 茂, 森 真, 今井 桂子, 水谷 正大 訳), 非線形の力学系とカオス (シュプリンガー・フェアラーク東京, 2000)

**係 [#u8224ee6]
-2019年度
--イベント, 遊技, 野球
高山 創 のバックアップソース(No.9)

高山　創のバックアップソース(No.9)
