メンバー
高山 創, Hajime Takayama
- 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 博士後期過程 1回生
- Mail Address : h-takayama ＋”＠”＋ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp
略歴 †
- 2015年 (平成27年) 3月 三重県立津高等学校 卒業
- 2015年 (平成27年) 4月 京都大学工学部電気電子工学科 入学
- 2019年 (平成31年) 3月 同 卒業
- 2019年 (平成31年) 4月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 修士課程 入学
- 2021年 (令和3年) 3月 同 修了
- 2021年 (令和3年) 4月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 博士後期過程 進学
所属学会 †
- 電子情報通信学会 (IEICE)
- Institute of Electrical and Electronic Engineering (IEEE)
学術論文 (査読あり) †
- Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "Digital Active Gate Drive of SiC MOSFETs for Controlling Switching Behavior --- Preparation toward Universal Digitization of Power Switching," International Journal of Circuit Theory and Applications (accepted for publication).
国際会議発表（査読あり) †
- ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Switching Trajectory Control of SiC MOSFET Based on I-V Characteristics Using Digital Active Gate Driver",
2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0484, Singapore (virtual, oral), 26 May, 2021.
- ○Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara, "A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive", 2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0485, Singapore (virtual, oral), 26 May, 2021.
- ○Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study on Suppressing Surge Voltage of SiC MOSFET Using Digital Active Gate Driver",
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia 2020 (WiPDA-Asia), Lecture_F1-3, Kyoto, Japan (online), 23-25 September, 2020.
国内学会発表 †
- ○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "SiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の多目的最適化に関する数値検討", 2021年電子情報通信学会NOLTAソサイエティ大会, PM-2-1, 2021年6月12日.
- ○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "GAに基づくSiC MOSFETのディジタル アクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検, 電気学会全国大会, 4-100, 2021年3月9-11日.
- ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの駆動に関する基礎実験",
令和元年電気関係学会関西連合大会, G4-15, 大阪市立大学 杉本キャンパス, 2019年12月1日.
- ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討",
2019年電子情報通信学会 総合大会, 回路とシステム A-1-5, 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2019年3月19日.
国内研究会発表 †
- ○高山創, 福永崇平, 引原隆士, "SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討",
電気学会電子回路研究会, ETC-21-026, オンライン開催, 2021年6月24日.
- ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライブにおけるSiC MOSFETのゲート駆動波形に関する一検討",
電気学会半導体電力変換研究会, SPC-20-003, 立命館大学 大阪いばらきキャンパス, 2020年1月24日.
研究助成 †
- 日本学術振興会 科研費 特別研究員奨励費 No.21J22448
受賞歴 †
- 令和3年度 工学研究科馬詰研究奨励賞 (2021年7月7日)
- 令和元年度 吉田卒業研究・論文賞 (2019年6月26日)
学位論文 †
- 修士論文, 高山 創, "SiC MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバの開発に関する研究" (2021).
- 学士論文, 高山 創, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバの設計に関する研究" (2019).
教育活動 †
学内ティーチングアシスタント (TA) †
- 電気電子工学科エレクトロニクスサマーキャンプ1回生TA (2021年度)
- 学習支援TA (2021年度前期)
- 電気電子工学実習 (パワーエレクトロニクス) (2019年度後期)
- パワーエレクトロニクス (2019年度前期)
研究室内およびその他活動 †
輪講 †
- 2019年度
- 甘利俊一, 長岡浩司, 情報幾何の方法 (岩波書店, 2017)
- 2018年度
- Stephen Wiggins (丹羽 敏雄, 田中 茂, 森 真, 今井 桂子, 水谷 正大 訳), 非線形の力学系とカオス (シュプリンガー・フェアラーク東京, 2000)
給付型奨学金 †
- 日新電機グループ社会貢献基金 第4期奨学生
![[PukiWiki]](image/mathbf_S^t.png "[PukiWiki]")
