Hajime_Takayama

Hajime Takayama (Japanese page)

• Doctoral Student
• Department of Electrical Engineering, Graduate School of Kyoto University
  • Laboratory of Advanced Electrical Systems Theory (Hikihara Lab.)

• JSPS Research Fellowship for Young Scientists (DC1)

• ORCID ID

• Mail Address : h-takayama ＋”＠”＋ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp

Education †

• Ph.D. in Engineering, Department of Electrical Engineering, Graduate School of Kyoto University (March 2024).
• M.E., Department of Electrical Engineering, Graduate School of Kyoto University (March 2021).
• B.E., Faculty of Electrical and Electronics Engineering, Kyoto University (March 2019).

Journal Articles †

1. Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: "Digital-twin-compatible Optimization of Switching Characteristics for SiC MOSFETs using Genetic Algorithm," IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Industrial Electronics, vol. 4, no. 4, pp. 1024–1033, 2023. DOI: 10.1109/JESTIE.2023.3291636
2. Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: "Slew rate control of SiC MOSFET in boost converter using digital active gate driver," IET Power Electronics, vol. 16, no. 3, pp. 472-482, February 2023. doi: 10.1049/pel2.12398
3. Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "Digital Active Gate Drive of SiC MOSFETs for Controlling Switching Behavior --- Preparation toward Universal Digitization of Power Switching," International Journal of Circuit Theory and Applications, vol. 50, no. 1, pp. 183-196, 2022. DOI: 10.1002/cta.3136

International Conference Presentations †

1. ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Binary-weighted Modular Multi-level Digital Active Gate Driver," EPE'23 ECCE EUROPE, Paper ID: 0039, Aalborg, Denmark, 6 Septemper, 2023. (Oral) Applied Power Electronics Conference (APEC) 2023, T28.3, Orlando, FL, 23 March, 2023. (Oral) https
2. ○Hajime Takayama, Chengmin Li, Jennifer Abou-najm, Takashi Hikihara, and Drazen Dujic, "Square-Wave Source with Adjustable dv/dt for Insulation Testing under Mixed-Frequency Stresses," Applied Power Electronics Conference (APEC) 2023, T28.3, Orlando, FL, 23 March, 2023. (Oral)
3. ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Exhaustive Search of Digitized Gate Voltage for SiC MOSFETs", 2022 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Application (NOLTA), CL2-B-01, online, 14 December, 2022. (Oral)
4. ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "An Estimation of Load-dependent Characteristics of SiC Power MOSFETs while Active-gate-driving", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022, Tu-P-B.22, Davos, Switzerland, 13 September, 2022. (Poster)
5. ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Simulation Tool for Optimization of Digital Active Gate Drive Sequence Using Genetic Algorithm", EPE 2022 ECCE Europe, Paper ID: 19, Hannover, Germany, 7 September, 2022. (Dialogue session) https
6. ○Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara, "A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage", The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19F1-3, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) https
7. ○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Switching Trajectory Control of SiC MOSFET Based on I-V Characteristics Using Digital Active Gate Driver", 2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0484, Singapore, 26 May, 2021. (virtual, oral) https
8. ○Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara, "A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive", 2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0485, Singapore, 26 May, 2021. (virtual, oral) https
9. ○Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study on Suppressing Surge Voltage of SiC MOSFET Using Digital Active Gate Driver", IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia 2020 (WiPDA-Asia), Lecture_F1-3, Kyoto, Japan, 23-25 September, 2020. (online) https

Domestic Conference Presentations †

1. ○福永 崇平, 高山 創, 引原 隆士："ダブルパルス試験による事前決定駆動パラメータを用いた電力変換回路の動特性改善", 電気学会 全国大会, 4-020, 名古屋大学, 2023年3月15日-17日.
2. ○金本公平, 高山創, 引原隆士, "電圧制御型アクティブゲートドライブにおけるスイッチング特性の分布に関する検討", 2023年電子情報通信学会総合大会, 回路とシステム A-1-4, 芝浦工業大学 大宮キャンパス, 2023年3月6日.
3. ○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証", 令和4年電気学会全国大会, 4-010, オンライン, 2022年3月23日.
4. ○金本公平, 高山創, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバの損失低減に向けた回路構成の検討", 2022年電子情報通信学会総合大会, 回路とシステム A-1-14, オンライン開催, 2022年3月16日.
5. ○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "SiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の多目的最適化に関する数値検討", 2021年電子情報通信学会NOLTAソサイエティ大会, PM-2-1, 2021年6月12日.
6. ○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討, 電気学会全国大会, 4-100, 2021年3月9-11日.
7. ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの駆動に関する基礎実験", 令和元年電気関係学会関西連合大会, G4-15, 大阪市立大学 杉本キャンパス, 2019年12月1日.
8. ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討", 2019年電子情報通信学会 総合大会, 回路とシステム A-1-5, 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2019年3月19日.

Domestic Technical Meeting Presentations †

1. ○高山創, 福永崇平, 引原隆士, "モジュラー型ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFET の並列駆動における電流平衡化に関する一検討", 電磁環境/半導体電力変換合同研究会, EMC-23-009, SPC-23-153, 沖縄県市町村自治会館, 2023年5月12日.
2. ○高山創, 福永崇平, 引原隆士, "SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討", 電気学会電子回路研究会, ETC-21-026, オンライン開催, 2021年6月24日.
3. ○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライブにおけるSiC MOSFETのゲート駆動波形に関する一検討", 電気学会半導体電力変換研究会, SPC-20-003, 立命館大学 大阪いばらきキャンパス, 2020年1月24日.

Research Grants †

1. JSPS Overseas Challenge Program for Young Researchers (2022)
   1. Research stay at Power Electronics Laboratory, École polytechnique fédérale de Lausanne, Switzerland from 5/2022 to 10/2022.
2. JSPS Grants-in-aid for JSPS Research Fellow, No.21J22448 (2021-2024)

Awards †

1. 2021 IEEJ Electronics, Information and Systems Sector Committee Award
2. 2021 Kyoto University Mazume Prize
3. 2019 Kyoto University Yoshida Prize for Bachelor Thesis