奥田 貴史, Takafumi Okuda

博士(工学)

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  • 京都大学工学研究科 電気工学専攻 助教
  • Mail Address : t-okuda +"@"+ dove.kuee.kyoto-u.ac.jp

(2016年12月28日 内容更新)

略歴

  • 2006年3月 私立東大寺学園高等学校卒業
  • 2011年3月 京都大学工学部電気電子工学科 卒業
  • 2013年3月 京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻修士課程 修了
  • 2015年9月 京都大学大学院工学研究科 電子工学専攻博士課程 修了, 博士(工学)
  • 2013年4月--2015年9月 日本学術振興会 特別研究員(DC1)
  • 2015年10月--2016年3月 日本学術振興会 特別研究員(PD)
  • 2016年4月--2016年9月 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 引原研究室 特定研究員
  • 2016年10月--現在 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 引原研究室 助教

所属学会

  • 電気学会、応用物理学会、結晶工学分科会、先進パワー半導体分科会、IEEE

専門分野

  • SiCの結晶成長および物性制御(キャリア寿命、点欠陥、表面再結合など)
  • SiCバイポーラトランジスタの作製と評価
  • SiCデバイスのモデリングおよび電力変換回路への応用

研究関連

学術論文

  1. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Current Transport Characteristics of Quasi-AlxGa1-xN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with Various Band Discontinuities", Japanese Journal of Applied Physic. 51, 04DP09 (2012).
  2. H. Miyake, T. Okuda, H. Niwa, T. Kimoto, and J. Suda, "21-kV SiC BJTs With Space-Modulated Junction Termination Extension", IEEE Electron Device Letters 33, 1598 (2012).
  3. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Long Photoconductivity Decay Characteristics in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", Japanese Journal of Applied Physics 52, 010202 (2013).
  4. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Improvement of Carrier Lifetime in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation", Applied Physics Express 6, 121301 (2013). 応用物理学会 論文奨励賞受賞.
  5. T. Hayashi, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Decay Curve Analyses in Carrier Lifetime Measurements of p- and n-Type 4H-SiC Epilayers", Japanese Journal of Applied Physics 53, 111301 (2014).
  6. T. Okuda, T. Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto, and J. Suda, "Enhancement of Carrier Lifetime in Lightly Al-Doped 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Annealing", Applied Physics Express 7, 085501 (2014).
  7. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Oxidation-Induced Majority and Minority Carrier Traps in n- and p-Type 4H-SiC", Applied Physics Express 8, 111301 (2015).
  8. S. Nakazawa, T. Okuda, T. Nakamura, and T. Kimoto, "Interface Properties of 4H-SiC (11-20) and (1-100) MOS Structures Annealed in NO", IEEE Transactions on Electron Devices 62, 309 (2015).
  9. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors", Japanese Journal of Applied Physics 54, 04DP13 (2015).
  10. T. Okuda, T. Kobayashi, T. Kimoto, and J. Suda, "Surface Passivation on 4H-SiC Epitaxial Layers by SiO2 with POCl3 Annealing", Applied Physics Express 9, 051301 (2016).
  11. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Hall Scattering Factors in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations", Applied Physics Express 9, 041301 (2016).
  12. T. Kobayashi, S. Nakazawa, T. OKUDA, J. Suda, T. Kimoto, "Interface State Density of SiO2/p-Type 4H-SiC (0001), (11-20), (1-100) Metal-Oxide-Semiconductor Structures Characterized by Low-Temperature Subthreshold Slopes", Applied Physics Letters 108, 152108 (2016).
  13. Takuma Kobayashi, Seiya Nakazawa, Takafumi Okuda, Jun Suda, and Tsunenobu Kimoto, "Interface Properties of NO-Annealed 4H-SiC(0001), (11-20), and (1-100) MOS Structures with Heavily Doped p-Bodies", Journal of Applied Physics, Vol.121, 145703, 2017.

国際会議録

  1. T. Kimoto, J. Suda, G. Feng, H. Miyake, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, S. Ichikawa, and Y. Nishi, "Defect Electronics in SiC and Fabrication of Ultrahigh-Voltage Bipolar Devices" (Plenary), ECS Transactions 50, 25 (2012).
  2. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Persistent Photoconductivity in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", Materials Science Forum 740-742, 413 (2013).
  3. T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda, "Junction Technology in SiC for High-Voltage Power Devices" (Plenary), Extended Abstract of IEEE 13th International Workshop on Junction Technology, 54 (2013).
  4. K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda, "ESR Study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in p-Type and Semi-Insulating 4H-SiC", Material Science Forum 858, 318 (2016).
  5. Ryo Takahashi, Takuya Kajiyama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study of Pulse Shape Suitable for Power Packet Dispatching on Power Transmission Line", Proc. 2016 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA2016), pp. 87-88, Japan, Nov. 2016.
  6. Takafumi Okuda, Yohei Nakamura, Michihiro Shintani, Takashi Sato, and Takashi Hikihara, "Analysis of Transient Behavior of SiC Power MOSFETs Based on Surface Potential Model and Its Application to Boost Converter", 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, Arkansas, pp.101-104, 2016.
  7. Takafumi Okuda, Takuma Kobayashi, Tsunenobu Kimoto, and Jun Suda, "Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing", 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications, Arkansas, pp.233-235, 2016.

学位論文

  • 学士論文, 奥田貴史, AlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタのデバイス構造と電気的特性の相関 (2011).
  • 修士論文, 奥田貴史, SiCバイポーラトランジスタの増幅率向上を目指したp 型SiCのキャリア寿命およびAlGaN/SiCヘテロ接合の評価 (2013).
  • 博士論文, 奥田貴史, Enhancement of Carrier Lifetimes in SiC and Fabrication of Bipolar Junction Transistors (SiCのキャリア寿命向上およびバイポーラトランジスタの作製) (2015).

国際会議(査読有)

  1. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Current Transport Characteristics of Quasi-AlxGa1-xN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors with Various Band Discontinuities", International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, Japan, P-14-19, Sep. 28-30, (2011), poster.
  2. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Persistent Photoconductivity in p-Type 4H-SiC Bulk Crystals", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, St. Petersburg, Russia, Tu5-5, Sep. 2-6 (2012), oral.
  3. T. Okuda, H. Miyake, T. Kimoto, and J. Suda, "Electrical Characteristics of 21-kV SiC BJTs with Space-Modulated Junction Termination Extension", International Conference on Solid State Devices and Materials, Hukuoka, Japan, J-5-2, Sep. 26 (Sep. 24-27, 2013), oral.
  4. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Carrier Lifetime Improvement in Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Mo-1B, Sep. 30 (Sep. 30-Oct. 4, 2013), oral.
  5. J. Suda, T. Okuda, H. Uchida, A. Minami, N. Hatta, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, Y. Kurashima, and H. Takagi, "Characterization of 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown on 100-mm-Diameter 4H-SiC/Poly-SiC Bonded Substrates", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Miyazaki, Japan, Th-P-62, Sep. (2013), poster.
  6. T. Kimoto, K. Kawahara, H. Niwa, T. Okuda, and J. Suda, "Junction Technology in SiC for High-Voltage Power Devices" (Plenary), Kyoto, Japan, Ext. Abstr. of IEEE 13th Int. Workshop on Junction Technology, pp.54-57 (2013).
  7. T. Kimoto, H. Miyake, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda, "Progress and Future Challenges of High-Voltage SiC Power Devices" (invited), Boston, United States of America, 2013 Materials Research Society Fall Meeting, T.8.1 (2013).
  8. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Current Gain in 4H-SiC Bipolar Junction Transistors", International Conference on Solid State Devices and Materials, hokkaido, Japan, E-4-3, Sep. 9-11, (2014), oral.
  9. T. Okuda, T. Miyazawa, H. Tsuchida, T. Kimoto, and J. Suda, "Improvement of Carrier Lifetimes in Lightly-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Combination of Thermal Oxidation and Hydrogen Passivation", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, MO-P-36, Sep. 21-25 (2014), poster.
  10. T. Kimoto, H. Niwa, T. Okuda, N. Kaji, and J. Suda, "Progress and Future Challenges in SiC Material for High-Voltage Power Devices", (invited) American Vaccum Soc. 61st Int. Symp. (Baltimore, 2014), EM1-WeM3.
  11. N. Hatta, A. Minami, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, H. Uchida, T. Okuda, J. Suda, Y. Kurashima, and H. Takagi, "Low-Resistance 4H-SiC/Poly-SiC Bonded Interfaces Fabricated by a Surface-Activated-Bonding Method", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, MO-P-50, Sep. 21-25 (2014), poster.
  12. S. Nakazawa, T. Okuda, T. Kobayashi, J. Suda, T. Nakamura, and T. Kimoto, "Interface Properties and Mobility-Limiting Factors in 4H-SiC(0001), (11-20), and (1-100) MOS Structures", (invited) European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Grenoble, France, TU3-IS-01, Sep. 21-25 (2014), oral.
  13. J. Suda, T. Okuda, N. Hatta, A. Minami, T. Sakata, T. Kawahara, K. Yagi, H. Uchida, Y. Kurashima, and H. Takagi, "4H-SiC/Poly-SiC Engineered Substrates Fabricated by a Suface-Activated-Bonding Method", 57th Electronic Materials Conference, Columbun, United States of America, U1, Jun. 24-26, (2015), oral.
  14. J. Suda, T. Okuda, and T. Kimoto, "Hydrogen Passivation of Unknown Lifetime-Killing Defects in Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers", 57th Electronic Materials Conference, Columbus, United States of America, BB6, Jun. 24-26, (2015), oral.
  15. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Enhancement of Carrier Lifetimes in p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers" (Invited), International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, We-1A-1, Oct. 7 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  16. T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Oxidation-Induced Majority and Minority Carrier Traps in n- and p-Type 4H-SiC", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, We-P-25, Oct. 7 (Oct. 4-9) (2015), poster.
  17. T. Okuda, T. Kobayashi, T. Kimoto, and J. Suda, "Surface Passivation on p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Deposited SiO2 with POCl3 Annealing", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Th-P-14, Oct. 8 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  18. T. Kobayashi, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Accurate Evaluation of Interface State Densities of 4H-SiC(0001) MOS Structures Annealed in POCl3 by C-Ψs Method", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, MO-2A-2, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  19. S. Asada, T. Okuda, T. Kimoto, and J. Suda, "Temperature Dependence of Hall Scattering Factor in p-Type 4H-SiC with Various Doping Concentrations", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Tu-1A-2, Oct. 6 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  20. K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda, "ESR Study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in p-Type and Semi-Insulating 4H-SiC", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Mo-P-7, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), poster.
  21. K. Yamada, H. Niwa, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Promise and Limitation of Ultrahigh-Voltage SiC PiN Diodes with Long Carrier Lifetimes Studied by Device Simulation", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Th-3A-5, Oct. 8 (Oct. 4-9) (2015), oral.
  22. T. Kobayashi, S. Nakazawa, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "Cause for the Mobility Drop in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, Mo-P-58, Oct. 5 (Oct. 4-9) (2015), poster.
  23. K. Hiramatsu, T. Okuda, J. Suda, and T. Kimoto, "High Selectivity in SiC/SiO2 Etching by ICP-RIE in a SF6-O2-Ar Chemistry", European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Halkidiki, Greece, MoP.16, Sep.25-29 (2016), poster.
  24. T. Okuda, Y. Nakamura, M. Shintani, T. Sato, and T. Hikihara,"Analysis of Transient Behavior of SiC Power MOSFETs Based on Surface Potential Model and Its Application to Boost Converter", 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), Arkansas, United States of America, No. 1050, Nov. 8, 2016, oral.
  25. T. Okuda, T. Kobayashi, T. Kimoto, and J. Suda, "Impact of Annealing Temperature on Surface Passivation of SiC Epitaxial Layers with Deposited SiO2 Followed by POCl3 Annealing", 4th IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), Arkansas, United States of America, No. 1050, Nov. 8, 2016, oral.
  26. Ryo Takahashi, Takuya Kajiyama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study of Pulse Shape Suitable for Power Packet Dispatching on Power Transmission Lines", 2016 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Applications (NOLTA2016), Yugawara, Japan, Nov. 27-30, 2016.
  27. Yuhei Sadanda, Takafumi Okuda, Takashi Hikihara, "Direct Drive of a Buck Converter by Delta-Sigma Modulation at 13.56-MHz Sampling", IEEE Workshop on Control and Modeling for Power Electronics, Stanford, California, United States of America, P05-8, July 9-12, 2017, poster.

国内発表

  1. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 第30回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ琵琶湖、Th2-19(2011年6月29日〜7月1日).
  2. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「AlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 秋季第72回応用物理学会学術講演会、 山形大学、31a-ZB-11(2011年8月29日〜9月2日).
  3. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「様々なバンド不連続を有するAlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送機構」、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、京都大学、ED2011-81(2011年11月17日〜18日)、論文発表奨励賞受賞.
  4. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命」、 春季第59回応用物理学関係連合講演会、 早稲田大学、17p-A8-15(2012年3月14日〜18日)、講演奨励賞受賞.
  5. 高橋亮、梶山拓也、奥田貴史、引原隆士、「電力パケットによる電力伝送に適したパルス波形の検討(I): 実験」、平成24年電子情報通信学会総合大会、岡山大学、26p-A-1-26、2012年3月20〜23日.
  6. 高橋亮、梶山拓也、奥田貴史、引原隆士「電力パケットによる電力伝送に適したパルス波形の検討(II): 数値シミュレーション」、平成24年電子情報通信学会総合大会、岡山大学、26p-A-1-27、2012年3月20〜23日.
  7. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC p型バルク結晶におけるPersistent Photoconductivity」、 第31回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ伊豆、Th1-15(2012年7月11日〜13日).
  8. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC p型バルク結晶およびp型エピ成長層の光伝導減衰特性の比較(講演奨励賞受賞記念講演)」、 秋季第73回応用物理学会学術講演会、 愛媛大学、12p-H7-7(2012年9月11日〜14日).
  9. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現」、 春季第60回応用物理学関係連合講演会、 神奈川工科大学、28p-G22-8(2013年3月27日〜30日).
  10. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性」、 春季第61回応用物理学関係連合講演会、 青山学院大学、18p-E5-1、2013年3月28日(27日〜30日).
  11. 中澤成哉、奥田貴史、中村孝、木本恒暢、「コンダクタンス法を用いたSiC(11-20)および(1-100) MOS界面準位の評価」、 春季第61回応用物理学関係連合講演会、 青山学院大学、18p-E5-8、2013年3月28日(27日〜30日).
  12. 奥田貴史、三宅裕樹、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造の導入による21 kV SiC BJTの実現」、 第32回電子材料シンポジウム、 ラフォーレ滋賀、2013年7月11日(10〜12日)、 EMS賞受賞.
  13. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「空間変調型接合終端構造を有する21 kV SiC BJTの電気的特性」、 応用物理学会関西支部第2回講演会、 奈良先端大学院大学、P-3、2013年10月9日.
  14. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「p型4H-SiCエピタキシャル層における水素パッシベーションによるキャリア寿命の向上」、 SiC及び関連半導体研究第22回講演会、 埼玉会館、B-15、2013年12月9日(9、10日).
  15. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「SiCパワーデバイスの高性能化にむけた点欠陥低減技術」(依頼講演)、 生研材料学セミナー、 東京大学、2013年12月24日.
  16. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「水素熱処理によるp型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ伊豆、We2-2、2014年7月9日(9〜11日).
  17. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「Improvement of Carrier Lifetimes in Highly Al-Doped p-Type 4H-SiC Epitaxial Layers by Hydrogen Passivation (論文奨励賞受賞記念講演)」、秋季第75回応用物理学会学術講演会、 北海道大学、18a-A17-1、2014年9月17日(16〜19日).
  18. 奥田貴史、宮澤哲哉、土田秀一、木本恒暢、須田淳、「熱酸化および水素熱処理による低濃度p型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、先進パワー半導体分科会 第1回講演会、ウィンク愛知、P-10、2014年11月19日(19、20日).
  19. 棚井創基、村上功樹、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、大島武、梅田享英、「4H-SiCの結晶欠陥と水素の反応に関する研究」、春季第62回応用物理関係連合講演会、東海大学、12a-B4-9、2015年3月12日(11〜14日).
  20. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール効果の温度依存性」、春季第62回応用物理関係連合講演会、東海大学、12a-B4-8、2015年3月12日(11〜14日).
  21. 奥田貴史、宮澤哲哉、土田秀一、木本恒暢、須田淳、「p型4H-SiCエピタキシャル層のキャリア寿命向上」、第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ滋賀、Th3-26、2015年7月16日(15〜17日).
  22. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「様々なドーピング密度を有するp型4H-SiCのホール散乱因子の温度依存性」、第34回電子材料シンポジウム、ラフォーレ滋賀、Th3-9、2015年7月16日(15〜17日).
  23. 小林拓真、中澤成哉、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、「高濃度p型ボディ層を有するSiC MOSFETにおける移動度劣化要因の検討」、先進パワー半導体分科会第2回講演会、大阪国際交流センター、P-65、2015年11月9日(9, 10日)
  24. 奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「p型SiCエピタキシャル層におけるバルクキャリア寿命向上および表面再結合低減」、第4回結晶工学未来塾、東京農工大学、P-29、2015年10月29日.
  25. 浅田聡志、奥田貴史、木本恒暢、須田淳、「4H-SiC BJTにおけるベース直列抵抗がオン特性に与える影響」、第33回電子材料シンポジウム、ラフォーレ伊豆、2014年7月9日(9〜11日).
  26. 梅田享英、鹿児山陽平、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、小杉亮治、岡本光央、原田信介、「エピタキシャル基板を使用した4H-SiC MOS窒化界面のESR評価」、春季第63回応用物理関係連合講演会、東京工業大学、20p-H101-8、2016年3月20日(19〜22日).
  27. 奥田貴史、中村洋平、新谷道広、佐藤高史、引原隆士、「表面ポテンシャルモデルを用いたSiCパワーMOSFETの過渡解析および昇圧回路への応用」、平成28年電気学会産業応用部門大会、群馬大学、LA-1-1-10、2016年8月30日〜9月1日.
  28. 平松佳奈、奥田貴史、須田淳、木本恒暢、「SiO2をマスクとしたSF6-O2-Ar系ICP-RIEによる高選択比SiCエッチング」、秋季第77回応用物理学会学術講演会、朱鷺メッセ、15p-C302-3、2016年9月13日〜16日.
  29. 小林拓真,中澤成哉,奥田貴史,須田淳,木本恒暢,「高濃度AlドープSiCの酸化機構とMOS界面電子物性」,先進パワー半導体分科会第3回講演会,つくば国際会議場,VII-2,2016年11月8日〜9日.
  30. 奥田貴史,引原隆士,「大電力高速パルス生成器によるオシロスコープのスキュー補正」,電気学会電子回路研究会,東京理科大学,ECT-016-097,2016年12月14,15日.
  31. 橋本和樹, 奥田貴史, 引原隆士, 「高周波領域におけるトランスのモデリングを目指したBHカーブ測定」, 電気学会電子回路研究会, 大牟田商工会議所, ECT-017-006, 2017年1月19日.
  32. 前田凌佑,奥田貴史,引原隆士,「SiC SBD接合容量モデルの高周波領域における精度検証」,電気学会全国大会,富山大学,4-012,2017年3月15日.
  33. 奥田貴史,引原隆士,「GaN FET搭載ゲートドライバによるSiC MOSFETの20 MHz駆動」,電気学会全国大会,富山大学,4-017,2017年3月16日.
  34. 金建佑,奥田貴史,須田淳,木本恒暢,岡本光央,原田信介,梅田享英,「ドライ酸化,窒化,POCl3処理Si面SiC-MOS界面の電子スピン共鳴分光」,第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜,16a-P5-13,2017年3月16日.

受賞歴

  1. 2011年11月25日 電子情報通信学会電子デバイス研究会 論文発表奨励賞
  2. 2012年9月11日 秋季第59回応用物理学会関係連合講演会 講演奨励賞
  3. 2013年7月12日 第32回電子材料シンポジウム EMS賞
  4. 2014年3月11日 平成25年度グローバルCOE博士助成成果報告 英語コンテスト優秀賞
  5. 2014年9月16日 応用物理学会 論文奨励賞
  6. 2017年4月22日 船井情報科学振興財団 船井研究奨励賞

特許

「半導体装置、半導体装置の製造方法および熱処理装置」須田淳、奥田貴史、木本恒暢、特開2015-018859 (2015.1.29) [特願2013-143504 (2013.7.9)]

教育活動

学内

  1. 電気電子工学科エレクトロニクスサマーキャンプ TA (2010年--現在)

最終更新日 2016-10-21 (金) 19:25:27


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