高山　創

メンバー

高山創, Hajime Takayama (English page)

京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士後期課程 (2024年3月修了)
- 先端電気システム論講座 (引原研究室)

日本学術振興会特別研究員 (DC1)

ORCID ID

略歴 †

2015年 (平成27年) 3月三重県立津高等学校卒業
2015年 (平成27年) 4月京都大学工学部電気電子工学科入学
2019年 (平成31年) 3月同卒業
2019年 (平成31年) 4月京都大学大学院工学研究科電気工学専攻修士課程入学
2021年 (令和3年) 3月同修了
2021年 (令和3年) 4月京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士後期課程進学
2022年 (令和4年) 5月-10月 Exchange Doctoral Program in Energy, Power Electronics Laboratory, École polytechnique fédérale de Lausanne
2024年 (令和6年) 3月京都大学大学院工学研究科電気工学専攻博士後期課程修了
2024年 (令和6年) 4月京都工芸繊維大学京都グリーンラボ特任助教

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所属学会 †

電子情報通信学会 (IEICE)
Institute of Electrical and Electronic Engineering (IEEE)

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学術論文 (査読あり) †

Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara: "Digital-twin-compatible Optimization of Switching Characteristics for SiC MOSFETs using Genetic Algorithm," IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Industrial Electronics, vol. 4, no. 4, pp. 1024–1033, 2023. DOI: 10.1109/JESTIE.2023.3291636
Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara: "Slew rate control of SiC MOSFET in boost converter using digital active gate driver," IET Power Electronics, vol. 16, no. 3, pp. 472-482, February 2023. doi: 10.1049/pel2.12398
Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "Digital Active Gate Drive of SiC MOSFETs for Controlling Switching Behavior --- Preparation toward Universal Digitization of Power Switching," International Journal of Circuit Theory and Applications, vol. 50, no. 1, pp. 183-196, 2022. DOI: 10.1002/cta.3136

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国際会議発表（査読あり) †

○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Binary-weighted Modular Multi-level Digital Active Gate Driver," EPE'23 ECCE EUROPE, Paper ID: 0039, Aalborg, Denmark, 6 Septemper, 2023. (Oral) https
○Hajime Takayama, Chengmin Li, Jennifer Abou-najm, Takashi Hikihara, and Drazen Dujic, "Square-Wave Source with Adjustable dv/dt for Insulation Testing under Mixed-Frequency Stresses," Applied Power Electronics Conference (APEC) 2023, T28.3, Orlando, FL, 23 March, 2023. (Oral) https
○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Exhaustive Search of Digitized Gate Voltage for SiC MOSFETs", 2022 International Symposium on Nonlinear Theory and Its Application (NOLTA), CL2-B-01, online, 14 December, 2022. (Oral)
○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "An Estimation of Load-dependent Characteristics of SiC Power MOSFETs while Active-gate-driving", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2022, Tu-P-B.22, Davos, Switzerland, 13 September, 2022. (Poster)
○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Simulation Tool for Optimization of Digital Active Gate Drive Sequence Using Genetic Algorithm", EPE'22 ECCE Europe, Paper ID: 19, Hannover, Germany, 7 September, 2022. (Dialogue session) https
○Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara, "A study on digital active gate driving of DC-DC converter for suppressing switching surge voltage", The 2022 International Power Electronics Conference (IPEC-Himeji 2022 -ECCE Asia-), 19F1-3, Hyogo, Japan, May 15-19, 2022. (Oral) https
○Hajime Takayama, Shuhei Fukunaga, and Takashi Hikihara, "Switching Trajectory Control of SiC MOSFET Based on I-V Characteristics Using Digital Active Gate Driver", 2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0484, Singapore, 26 May, 2021. (virtual, oral) https
○Shuhei Fukunaga, Hajime Takayama, and Takashi Hikihara, "A study on switching surge voltage suppression of SiC MOSFET by digital active gate drive", 2021 IEEE 12th Energy Conversion Congress and Exposition – Asia (ECCE-Asia 2021), OR-02-0485, Singapore, 26 May, 2021. (virtual, oral) https
○Hajime Takayama, Takafumi Okuda, and Takashi Hikihara, "A Study on Suppressing Surge Voltage of SiC MOSFET Using Digital Active Gate Driver", IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia 2020 (WiPDA-Asia), Lecture_F1-3, Kyoto, Japan, 23-25 September, 2020. (online) https

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国内学会発表 †

○福永崇平, 高山創, 引原隆士: 「昇圧回路の動特性を改善するアクティブゲート駆動回路の実装方法の検討」, 電気学会全国大会, 4-011, 徳島大学, 2024年3月14日-16日.
○金本公平, 高山創, 引原隆士, "電圧制御型アクティブゲートドライブ波形のスイッチング特性の分布を利用した調整手法に関する検討", 2024年電気学会産業応用部門大会 Y-23, 名古屋工業大学, 2023年8月22日.
○福永崇平, 高山創, 引原隆士："ダブルパルス試験による事前決定駆動パラメータを用いた電力変換回路の動特性改善", 電気学会全国大会, 4-020, 名古屋大学, 2023年3月15日-17日.
○金本公平, 高山創, 引原隆士, "電圧制御型アクティブゲートドライブにおけるスイッチング特性の分布に関する検討", 2023年電子情報通信学会総合大会, 回路とシステム A-1-4, 芝浦工業大学大宮キャンパス, 2023年3月6日.
○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証", 令和4年電気学会全国大会, 4-010, オンライン, 2022年3月23日.
○金本公平, 高山創, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバの損失低減に向けた回路構成の検討", 2022年電子情報通信学会総合大会, 回路とシステム A-1-14, オンライン開催, 2022年3月16日.
○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "SiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の多目的最適化に関する数値検討", 2021年電子情報通信学会NOLTAソサイエティ大会, PM-2-1, 2021年6月12日.
○福永崇平, 高山創, 引原隆士, "GAに基づくSiC MOSFETのディジタルアクティブゲート駆動波形の最適化に関する一検討, 電気学会全国大会, 4-100, 2021年3月9-11日.
○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFETの駆動に関する基礎実験", 令和元年電気関係学会関西連合大会, G4-15, 大阪市立大学杉本キャンパス, 2019年12月1日.
○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバに関する一検討", 2019年電子情報通信学会総合大会, 回路とシステム A-1-5, 早稲田大学西早稲田キャンパス, 2019年3月19日.

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国内研究会発表 †

○金本公平, 高山創, 引原隆士, "電圧制御型アクティブゲート駆動波形とスイッチング特性の関係に関する実験的検討", 半導体電力変換/モータドライブ合同研究会, SPC-24-040, MD-24-040, 大阪公立大学I-siteなんば, 2024年1月26日.
○高山創, 福永崇平, 引原隆士, "モジュラー型ディジタルアクティブゲートドライバによるSiC MOSFET の並列駆動における電流平衡化に関する一検討", 電磁環境/半導体電力変換合同研究会, EMC-23-009, SPC-23-153, 沖縄県市町村自治会館, 2023年5月12日.
○高山創, 福永崇平, 引原隆士, "SiC MOSFETのゲート電圧波形の遺伝的アルゴリズムによる最適化に関する一検討", 電気学会電子回路研究会, ETC-21-026, オンライン開催, 2021年6月24日.
○高山創, 奥田貴史, 引原隆士, "ディジタルアクティブゲートドライブにおけるSiC MOSFETのゲート駆動波形に関する一検討", 電気学会半導体電力変換研究会, SPC-20-003, 立命館大学大阪いばらきキャンパス, 2020年1月24日.

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受賞歴 †

2021年電気学会電子・情報・システム部門技術委員会奨励賞 (2022年1月28日)
令和3年度工学研究科馬詰研究奨励賞 (2021年7月7日)
令和元年度吉田卒業研究・論文賞 (2019年6月26日)

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学位論文 †

修士論文, 高山創, "SiC MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバの開発に関する研究" (2021).
学士論文, 高山創, "MOSFETのためのディジタルアクティブゲートドライバの設計に関する研究" (2019).
博士学位論文, 高山創, "Digital Active Gate Drive System for Silicon Carbide Power MOSFETs" (2024).

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